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#1 |
数量:55000 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:280 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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#3 |
数量:1261 |
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最小起订量:1 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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| 系列 | IPB65R110 |
| 封装 | Reel |
| 商品名 | CoolMOS |
| 零件号别名 | SP000896402 |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3.5 V |
| 宽度 | 9.25 mm |
| Qg - Gate Charge | 118 nC |
| 封装/外壳 | TO-263-3 |
| 下降时间 | 6 ns |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 1 Channel |
| 配置 | 1 N-Channel |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 31.2 A |
| 长度 | 10 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 99 mOhms |
| 典型关闭延迟时间 | 68 ns |
| 通道模式 | Enhancement |
| 身高 | 4.4 mm |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 典型导通延迟时间 | 16 ns |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| Pd - Power Dissipation | 277.8 W |
| 上升时间 | 11 ns |
| 技术 | Si |
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